西安交通大学研究生课程简介
课程编码： 052167
课程名称：（中）现代集成电路可靠性
课程名称：（英）·Modern Integrated Circuit Reliability
学分数：2
课内总学时数：40
上机（实验）学时数：0
课程内容简介：
本课程是微电子专业研究生的一门专业选修课，主要介绍现代半导体集成电路可靠性的基本概念及最新进展，包括CMOS器件栅氧介质可靠性、热载流子注入效应、负偏压温度失稳效应、等离子体致损伤和静电损伤效应、电迁移和应力迁移效应等可靠性专题，学习CMOS器件可能发生的各种失效的物理过程、失效模式，失效物理模型，失效分析程序和方法；熟悉研究可靠性的数学基础、各种定量表征、概率分布及相应数学模型；学会设计可靠性试验、试验结果的统计处理；了解可靠性设计和内建可靠性等。
先修课: 数理统计，半导体器件物理，微电子制造技术
参考书目：
１． Alvin W. Strong, Ernest Y. Wu, Rolf-Peter Vollertsen, Jordi Suñé, Giuseppe LaRosa, Stewart E. Rauch, III, Timothy D. Sullivan. Reliability Wearout Mechanisms in Advanced CMOS Technologies, Wiley New Jersey 2009. ISBN 978-0471-73172-6.
２． 郝跃，刘红侠. 微纳米MOS器件可靠性与失效机理，科学出版社2008年. ISBN978-7-03-020586-5.
３． Charles E. Ebeling，可靠性与维修性工程概论(An Introduction to Reliability and Maintainability Engineering”，清华大学出版社2008年. ISBN978-7-302-17754-8.
４． 史保华. 微电子器件可靠性. 西安：西安电子科技大学出版社，2003.
５． 孙青, 庄奕琪, 王锡吉,刘发. 电子元器件可靠性工程. 北京:电子工业出版社，2002.
